Resumos Aceitos pela PRPPG

XXIX Encontro de Iniciação Científica

Métodos de Solução da Equação de Schroedinger e de Newton em Sistemas com Dimensionalidade Reduzida

Área: Astronomia,Física
Orientador: Gil de Aquino Farias
Autores Principais: Davi Soares Dantas, Levi Rodrigues Leite
Co-Autores:
Apresentação: Oral   Dia: 20  Hora: 08:20  Sala: 07  Local: Didático do CC - Bloco:951, 1º andar
Identificação: 2.1.02.006
Resumo:
Davi: Neste período de bolsa foi realizado um estudo sobre o cálculo de superfície que separa dois meios contínuos, partindo de conceitos básicos da fluidodinâmica e chegando à equação diferencial não-linear que descreve a forma dessas superfícies. Essa equação foi então resolvida para o hélio liquido depositado sobre um substrato de vidro com diferentes cavidades. Esse cálculo permitirá um estudo futuro de sistemas quânticos diferentes através da resolução da equação de Schroedinger e tornará possível também o estudo de sistemas clássicos através da resolução da equação de Newton para os potenciais gerados por essa superfície. A equação que descreve essa superfície de hélio líquido foi resolvida para duas cavidades diferentes, uma cavidade em forma de calha dupla e uma cavidade formada por duas cavidades cúbicas ligadas por um canal. Será mostrada então a importância de se analisar fenômenos quânticos em cada um desses sistemas formados por elétrons sobre as superfícies sob ação de campos elétricos na direção normal à cavidade. Levi: A física de materiais semicondutores está concentrada no estudo dos chamados sistemas de dimensão reduzida. Estas estruturas são artificialmente crescidas e possuem novas propriedades não observadas em materiais de dimensões macroscópicas (bulk). A última geração destas estruturas são os pontos e anéis quânticos, os quais são sistemas onde os portadores de carga são fortemente confinados nas três direções espaciais. Em geral, uma estrutura capaz de confinar portadores de carga formada por agrupamentos de materiais semicondutores, permite que a estrutura de bandas sofra uma transição de um esquema de bandas continuas para um conjunto de níveis discretos. No estudo das propriedades opto-eletrônicas das estruturas de semicondutores, é de fundamental importância o cálculo dos níveis de energia dos portadores de carga. Podemos obter esses valores resolvendo a equação de Schrödinger, para o potencial de confinamento da estrutura.